DADMI056N090Z1B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DADMI056N090Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DADMI056N090Z1B
DADMI056N090Z1B Datasheet (PDF)
dadmi056n090z1b.pdf
DADMI056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56ASOT-227PreliminarySFeaturesG VDSS = 900V RDS(ON)
dadmi040n120z1b.pdf
DADMI040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminary SOT-227FeaturesSG VDSS = 1200V RDS(ON)
Другие MOSFET... DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , IRF3205 , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 .
History: FQB4N90TM | DACMI240N120BZK | KP809B1 | DAMH300N150
History: FQB4N90TM | DACMI240N120BZK | KP809B1 | DAMH300N150
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827