DADMI056N090Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DADMI056N090Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
Тип корпуса: SOT227
DADMI056N090Z1B Datasheet (PDF)
dadmi056n090z1b.pdf
DADMI056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56ASOT-227PreliminarySFeaturesG VDSS = 900V RDS(ON)
dadmi040n120z1b.pdf
DADMI040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminary SOT-227FeaturesSG VDSS = 1200V RDS(ON)
Другие MOSFET... DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , IRF3205 , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 .
History: DMP2004DWK | R4008AND
History: DMP2004DWK | R4008AND
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827