DADMI056N090Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: DADMI056N090Z1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 148 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам