DAEMI056N090Z1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAEMI056N090Z1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1194 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm

Encapsulados: SOT227

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DAEMI056N090Z1B datasheet

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DAEMI056N090Z1B

DAEMI056N090Z1B T DACO SEMICONDUC OR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 900V / 56A SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 900V RDS(ON)

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DAEMI056N090Z1B

DAEMI040N120Z1B T DACO SEMICONDUC OR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 1200V / 40A Preliminary SOT-227 Features S G VDSS = 1200V RDS(ON)

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