DAEMI056N090Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAEMI056N090Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
Тип корпуса: SOT227
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DAEMI056N090Z1B Datasheet (PDF)
0.1. Size:464K dacosemi
daemi056n090z1b.pdf
daemi056n090z1b.pdf
DAEMI056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56ASOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 900V RDS(ON)
8.1. Size:462K dacosemi
daemi040n120z1b.pdf
daemi040n120z1b.pdf
DAEMI040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminary SOT-227FeaturesSG VDSS = 1200V RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2N3819 | AOTS21319C | AOY423 | CTN04PN035 | 2N0609 | CTD04N7P5 | HM180N02D
History: 2N3819 | AOTS21319C | AOY423 | CTN04PN035 | 2N0609 | CTD04N7P5 | HM180N02D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614