DAEMI056N090Z1B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: DAEMI056N090Z1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам