DAEMI056N090Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAEMI056N090Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAEMI056N090Z1B
DAEMI056N090Z1B Datasheet (PDF)
daemi056n090z1b.pdf
DAEMI056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56ASOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 900V RDS(ON)
daemi040n120z1b.pdf
DAEMI040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminary SOT-227FeaturesSG VDSS = 1200V RDS(ON)
Другие MOSFET... DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , IRF840 , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614