DAMH160N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMH160N200
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 440 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 671 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DAMH160N200 MOSFET
DAMH160N200 Datasheet (PDF)
damh160n200.pdf
DAMH160N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 200V RDS(ON)
Otros transistores... DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , 20N60 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H .
Liste
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