DAMH160N200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMH160N200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 440 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 671 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm

Encapsulados: MODULE

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DAMH160N200 datasheet

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DAMH160N200

DAMH160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 200V RDS(ON)

Otros transistores... DACMI250N120BZK3, DACMI450N120BZK3, DADMH040N120Z1B, DADMH056N090Z1B, DADMI040N120Z1B, DADMI056N090Z1B, DAEMI040N120Z1B, DAEMI056N090Z1B, 20N60, DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, DAMH50N500H