DAMH160N200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAMH160N200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 440 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 671 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для DAMH160N200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH160N200 даташит

 ..1. Size:281K  dacosemi
 damh160n200.pdf pdf_icon

DAMH160N200

DAMH160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 200V RDS(ON)

Другие IGBT... DACMI250N120BZK3, DACMI450N120BZK3, DADMH040N120Z1B, DADMH056N090Z1B, DADMI040N120Z1B, DADMI056N090Z1B, DAEMI040N120Z1B, DAEMI056N090Z1B, 20N60, DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, DAMH50N500H