DAMH320N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMH320N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 424 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1424 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: MODULE

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DAMH320N100 datasheet

 ..1. Size:284K  dacosemi
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DAMH320N100

DAMH320N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 100V RDS(ON)

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DAMH320N100

DAMH300N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 150V RDS(ON)

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DAMH320N100

DAMH360N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)

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