DAMH320N100 Todos los transistores

 

DAMH320N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAMH320N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 424 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1424 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DAMH320N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  dacosemi
 damh320n100.pdf pdf_icon

DAMH320N100

DAMH320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 100V RDS(ON)

 9.1. Size:285K  dacosemi
 damh300n150.pdf pdf_icon

DAMH320N100

DAMH300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)

 9.2. Size:284K  dacosemi
 damh360n150.pdf pdf_icon

DAMH320N100

DAMH360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeatures HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)

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