DAMH320N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMH320N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 424 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1424 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAMH320N100
DAMH320N100 Datasheet (PDF)
damh320n100.pdf
DAMH320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 100V RDS(ON)
damh300n150.pdf
DAMH300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)
damh360n150.pdf
DAMH360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeatures HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)
Другие MOSFET... DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , IRFZ44 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 .
History: BRCS080N02ZB | GP1M018A020XX | LSD60R1K4HT | DHS020N04D | AP70SL380AI | AO4718 | AOD496A
History: BRCS080N02ZB | GP1M018A020XX | LSD60R1K4HT | DHS020N04D | AP70SL380AI | AO4718 | AOD496A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48