DAMH560N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMH560N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 560 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 449 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2848 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DAMH560N100
DAMH560N100 Datasheet (PDF)
damh560n100.pdf
DAMH560N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 100V RDS(ON)
damh50n500h.pdf
DAMH50N500HDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 500V / 50AHB-9434PreliminaryFeatures VDSS = 500V RDS(ON) Typ.110 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plateApplications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxi
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Liste
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