DAMH560N100 - описание и поиск аналогов

 

DAMH560N100 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DAMH560N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 560 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2848 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DAMH560N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH560N100 технические параметры

 ..1. Size:288K  dacosemi
 damh560n100.pdf pdf_icon

DAMH560N100

DAMH560N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 100V RDS(ON)

 9.1. Size:328K  dacosemi
 damh50n500h.pdf pdf_icon

DAMH560N100

DAMH50N500H DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 500V / 50A HB-9434 Preliminary Features VDSS = 500V RDS(ON) Typ.110 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plate Applications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxi

Другие MOSFET... DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , IRFB4110 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.