DAMH560N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMH560N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 560 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2848 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DAMH560N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH560N100 даташит

 ..1. Size:288K  dacosemi
 damh560n100.pdf pdf_icon

DAMH560N100

DAMH560N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 100V RDS(ON)

 9.1. Size:328K  dacosemi
 damh50n500h.pdf pdf_icon

DAMH560N100

DAMH50N500H DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 500V / 50A HB-9434 Preliminary Features VDSS = 500V RDS(ON) Typ.110 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plate Applications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxi

Другие IGBT... DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, DAMH50N500H, 2N7002, DAMH75N500H, DAMI160N100, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100