DAMH75N500H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMH75N500H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DAMH75N500H MOSFET
DAMH75N500H Datasheet (PDF)
damh75n500h.pdf

DAMH75N500HDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 500V / 75APreliminaryHB-9434Features VDSS = 500V RDS(ON) Typ.65 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plateApplications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxim
Otros transistores... DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , IRF630 , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 .
History: HGS290N10SL | 2SK3058-Z | IXTQ23N60Q | SVS80R280FE3 | GMP3205 | IPB65R310CFDA | RQK0201QGDQA
History: HGS290N10SL | 2SK3058-Z | IXTQ23N60Q | SVS80R280FE3 | GMP3205 | IPB65R310CFDA | RQK0201QGDQA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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