DAMH75N500H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DAMH75N500H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

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DAMH75N500H Datasheet (PDF)

..1. Size:328K dacosemi
damh75n500h.pdf

DAMH75N500HDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 500V / 75APreliminaryHB-9434Features VDSS = 500V RDS(ON) Typ.65 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plateApplications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxim

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