Справочник MOSFET. DAMH75N500H

 

DAMH75N500H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMH75N500H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DAMH75N500H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH75N500H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  dacosemi
 damh75n500h.pdf pdf_icon

DAMH75N500H

DAMH75N500HDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 500V / 75APreliminaryHB-9434Features VDSS = 500V RDS(ON) Typ.65 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plateApplications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxim

Другие MOSFET... DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , IRF630 , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 .

History: 2SK1016 | CEU30P10 | 2N7107 | IRFZ44N

 

 
Back to Top

 


 
.