DAMI160N200 Todos los transistores

 

DAMI160N200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAMI160N200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 440 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 671 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

 Búsqueda de reemplazo de DAMI160N200 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: DAMI160N200

 ..1. Size:507K  dacosemi
 dami160n200.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features SOT-227 VDSS = 200V S G RDS(ON)

 6.1. Size:506K  dacosemi
 dami160n100.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

Otros transistores... DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , AO3400 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.