DAMI160N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMI160N200
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 440 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 671 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de DAMI160N200 MOSFET
DAMI160N200 Datasheet (PDF)
dami160n200.pdf
DAMI160N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesSOT-227 VDSS = 200V SG RDS(ON)
dami160n100.pdf
DAMI160N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)
Otros transistores... DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , IRFB4227 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 .
Liste
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