DAMI160N200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMI160N200  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 440 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 671 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm

Encapsulados: SOT227

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DAMI160N200 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DAMI160N200 datasheet

 ..1. Size:507K  dacosemi
 dami160n200.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features SOT-227 VDSS = 200V S G RDS(ON)

 6.1. Size:506K  dacosemi
 dami160n100.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

Otros transistores... DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, IRF640N, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100