DAMI160N200 - описание и поиск аналогов

 

DAMI160N200 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DAMI160N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 440 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 671 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI160N200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI160N200 технические параметры

 ..1. Size:507K  dacosemi
 dami160n200.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features SOT-227 VDSS = 200V S G RDS(ON)

 6.1. Size:506K  dacosemi
 dami160n100.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

Другие MOSFET... DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , AO3400 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.