DAMI160N200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMI160N200  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 440 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 671 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DAMI160N200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI160N200 даташит

 ..1. Size:507K  dacosemi
 dami160n200.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features SOT-227 VDSS = 200V S G RDS(ON)

 6.1. Size:506K  dacosemi
 dami160n100.pdf pdf_icon

DAMI160N200

DAMI160N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

Другие IGBT... DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, IRF640N, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100