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DAMI280N200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAMI280N200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1328 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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DAMI280N200 datasheet

 ..1. Size:510K  dacosemi
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DAMI280N200

DAMI280N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.1. Size:511K  dacosemi
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DAMI280N200

DAMI220N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.2. Size:510K  dacosemi
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DAMI280N200

DAMI220N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 150V G RDS(ON)

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