Справочник MOSFET. DAMI280N200

 

DAMI280N200 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DAMI280N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 322 nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1328 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для DAMI280N200

 

 

DAMI280N200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  dacosemi
dami280n200.pdf

DAMI280N200
DAMI280N200

DAMI280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.1. Size:511K  dacosemi
dami220n200.pdf

DAMI280N200
DAMI280N200

DAMI220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.2. Size:510K  dacosemi
dami220n150.pdf

DAMI280N200
DAMI280N200

DAMI220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminary SOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top