Справочник MOSFET. DAMI280N200

 

DAMI280N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMI280N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1328 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI280N200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI280N200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  dacosemi
 dami280n200.pdf pdf_icon

DAMI280N200

DAMI280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.1. Size:511K  dacosemi
 dami220n200.pdf pdf_icon

DAMI280N200

DAMI220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.2. Size:510K  dacosemi
 dami220n150.pdf pdf_icon

DAMI280N200

DAMI220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminary SOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

Другие MOSFET... DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , IRFB4227 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 .

History: 2N4867

 

 
Back to Top

 


 
.