DAMI280N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMI280N200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1328 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAMI280N200
DAMI280N200 Datasheet (PDF)
dami280n200.pdf
DAMI280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)
dami220n200.pdf
DAMI220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)
dami220n150.pdf
DAMI220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminary SOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , IRFB4227 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 .
History: 2N4867 | LSD65R180GT | MEM4N60THG | SPA11N80C3 | PHP79NQ08LT | SFB024N100C3 | RSD140P06FRA
History: 2N4867 | LSD65R180GT | MEM4N60THG | SPA11N80C3 | PHP79NQ08LT | SFB024N100C3 | RSD140P06FRA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor