DAMI280N200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMI280N200  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DAMI280N200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI280N200 даташит

 ..1. Size:510K  dacosemi
 dami280n200.pdf pdf_icon

DAMI280N200

DAMI280N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.1. Size:511K  dacosemi
 dami220n200.pdf pdf_icon

DAMI280N200

DAMI220N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.2. Size:510K  dacosemi
 dami220n150.pdf pdf_icon

DAMI280N200

DAMI220N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 150V G RDS(ON)

Другие IGBT... DAMH450N100, DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, IRF3710, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, DAMI660N60