DAMI320N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMI320N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 424 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1424 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DAMI320N100
DAMI320N100 Datasheet (PDF)
dami320n100.pdf
DAMI320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)
dami330n60.pdf
DAMI330N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)
dami360n150.pdf
DAMI360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesSG VDSS = 150V RDS(ON)
dami300n150.pdf
DAMI300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
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