Справочник MOSFET. DAMI320N100

 

DAMI320N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMI320N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 424 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1424 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI320N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI320N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  dacosemi
 dami320n100.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)

 9.1. Size:503K  dacosemi
 dami330n60.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI330N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)

 9.2. Size:509K  dacosemi
 dami360n150.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesSG VDSS = 150V RDS(ON)

 9.3. Size:510K  dacosemi
 dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , IRFP250N , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED .

History: PK5G6EA | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.