DAMI320N100 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DAMI320N100. Основные параметры


   Наименование производителя: DAMI320N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 424 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1424 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI320N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI320N100 даташит

 ..1. Size:510K  dacosemi
 dami320n100.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI320N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

 9.1. Size:503K  dacosemi
 dami330n60.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI330N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)

 9.2. Size:509K  dacosemi
 dami360n150.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI360N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S G VDSS = 150V RDS(ON)

 9.3. Size:510K  dacosemi
 dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI320N100

DAMI300N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 150V G RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , IRFB4115 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED .

 

 
Back to Top

 


 
.