DAMI320N100 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

DAMI320N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: DAMI320N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 424 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 321 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1424 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для DAMI320N100