DAMI320N100 datasheet, аналоги, параметры транзистора

DAMI320N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMI320N100 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 424 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1424 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: SOT227

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для DAMI320N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:510K dacosemi
dami320n100.pdf pdf_icon

DAMI320N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

9.1. Size:503K dacosemi
dami330n60.pdf pdf_icon

DAMI330N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)

9.2. Size:509K dacosemi
dami360n150.pdf pdf_icon

DAMI360N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S G VDSS = 150V RDS(ON)

9.3. Size:510K dacosemi
dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI300N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 150V G RDS(ON)