DAMI330N60 Todos los transistores

 

DAMI330N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAMI330N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 680 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 330 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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DAMI330N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  dacosemi
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DAMI330N60

DAMI330N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)

 9.1. Size:510K  dacosemi
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DAMI330N60

DAMI320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)

 9.2. Size:509K  dacosemi
 dami360n150.pdf pdf_icon

DAMI330N60

DAMI360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesSG VDSS = 150V RDS(ON)

 9.3. Size:510K  dacosemi
 dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI330N60

DAMI300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

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History: TPCP8101 | CS5N65A8H | NCE65N260K | IXFC14N80P | AOWF14N50 | 2SK1771 | ZXMP6A13FTA

 

 
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