Справочник MOSFET. DAMI330N60

 

DAMI330N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMI330N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 330 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI330N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI330N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  dacosemi
 dami330n60.pdf pdf_icon

DAMI330N60

DAMI330N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)

 9.1. Size:510K  dacosemi
 dami320n100.pdf pdf_icon

DAMI330N60

DAMI320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)

 9.2. Size:509K  dacosemi
 dami360n150.pdf pdf_icon

DAMI330N60

DAMI360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesSG VDSS = 150V RDS(ON)

 9.3. Size:510K  dacosemi
 dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI330N60

DAMI300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , IRF9540 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI .

History: RQ1E100XN | TWS1008SQ | IXFR26N60Q | AON4413 | P1520ED | RQJ0602EGDQA | MXP6006DT

 

 
Back to Top

 


 
.