DAMI500N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMI500N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 500 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4083 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de DAMI500N60 MOSFET
Principales características: DAMI500N60
dami500n60.pdf
DAMI500N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)
dami560n100.pdf
DAMI560N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)
Otros transistores... DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , 7N65 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT .
History: DAMI660N60 | 40819 | DAMI160N100 | BUZ110S
History: DAMI660N60 | 40819 | DAMI160N100 | BUZ110S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
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