Справочник MOSFET. DAMI500N60

 

DAMI500N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMI500N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4083 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI500N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI500N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  dacosemi
dami500n60.pdfpdf_icon

DAMI500N60

DAMI500N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)

 9.1. Size:966K  dacosemi
dami560n100.pdfpdf_icon

DAMI500N60

DAMI560N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)

Другие MOSFET... DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , STP75NF75 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT .

History: CEM6186 | 2SK556 | SWY12N65D | IRFM260 | CEP6086L | CEB16N10 | STU25L01

 

 
Back to Top

 


 
.