DAMI500N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DAMI500N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4083 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAMI500N60
DAMI500N60 Datasheet (PDF)
..1. Size:504K dacosemi
dami500n60.pdf
dami500n60.pdf
DAMI500N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)
9.1. Size:966K dacosemi
dami560n100.pdf
dami560n100.pdf
DAMI560N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , AON7408 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor