DAMI660N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMI660N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 660 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de DAMI660N60 MOSFET
DAMI660N60 Datasheet (PDF)
dami660n60.pdf
DAMI660N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)
Otros transistores... DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , IRF9540 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA .
History: HYG400P10LR1D | HYG210P06LQ1V
History: HYG400P10LR1D | HYG210P06LQ1V
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP40H10NF | AP40H04NF | AP40G03NF | AP3P10S | AP3P10MI | AP3P06LI | AP3P06BI | AP3P06AI | AP3N50D | AP3N10BI | AP3N06MI | AP3N06I | AP35H04NF | AP3415A | AP3410MI | SSC8P22CN2
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