DAMI660N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMI660N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 660 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: SOT227

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DAMI660N60 datasheet

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DAMI660N60

DAMI660N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)

Otros transistores... DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, IRFP250N, DAMIA1100N100, P0165ED, P0165EI, P0260EDA, P0260EIA, P0306BT, P0406AK, P0460EDA