DAMI660N60 Todos los transistores

 

DAMI660N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DAMI660N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 660 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros