DAMI660N60 - описание и поиск аналогов

 

DAMI660N60 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DAMI660N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 660 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI660N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI660N60 технические параметры

 ..1. Size:504K  dacosemi
 dami660n60.pdf pdf_icon

DAMI660N60

DAMI660N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)

Другие MOSFET... DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , IRF630 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA .

 

 
Back to Top

 


 
.