DAMI660N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMI660N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 660 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAMI660N60
DAMI660N60 Datasheet (PDF)
dami660n60.pdf

DAMI660N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , 7N65 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA .
History: AP03N70H-H | 8N65KG-TF2-T
History: AP03N70H-H | 8N65KG-TF2-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725