DAMI660N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: DAMI660N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 660 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам