DAMI660N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMI660N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 660 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DAMI660N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI660N60 даташит

 ..1. Size:504K  dacosemi
 dami660n60.pdf pdf_icon

DAMI660N60

DAMI660N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)

Другие IGBT... DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, IRFP250N, DAMIA1100N100, P0165ED, P0165EI, P0260EDA, P0260EIA, P0306BT, P0406AK, P0460EDA