DAMIA1100N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMIA1100N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1800 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.0078 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de DAMIA1100N100 MOSFET
DAMIA1100N100 Datasheet (PDF)
damia1100n100.pdf
DAMIA1100N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227HPreliminaryFeaturesSD VDSS = 100V RDS(ON)
Otros transistores... DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , AO3400 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED .
Liste
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