DAMIA1100N100 Todos los transistores

 

DAMIA1100N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMIA1100N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1800 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.0078 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm

Encapsulados: SOT227
 

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros