DAMIA1100N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAMIA1100N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1800 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.0078 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de DAMIA1100N100 MOSFET
DAMIA1100N100 PDF Specs
damia1100n100.pdf
DAMIA1100N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227H Preliminary Features S D VDSS = 100V RDS(ON) ... See More ⇒
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History: IRFPG20 | FDMC8032L
Liste
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