DAMIA1100N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMIA1100N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1800 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0078 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAMIA1100N100
DAMIA1100N100 Datasheet (PDF)
damia1100n100.pdf

DAMIA1100N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227HPreliminaryFeaturesSD VDSS = 100V RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , K3569 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED .
History: SVS7N65SD2TR | PH4840S | SVG066R5NSA | CEP08N6A | AP9971AGM-HF | SM4844NHK
History: SVS7N65SD2TR | PH4840S | SVG066R5NSA | CEP08N6A | AP9971AGM-HF | SM4844NHK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor