DAMIA1100N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMIA1100N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1800 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0078 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DAMIA1100N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMIA1100N100 даташит

 ..1. Size:360K  dacosemi
 damia1100n100.pdf pdf_icon

DAMIA1100N100

DAMIA1100N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227H Preliminary Features S D VDSS = 100V RDS(ON)

Другие IGBT... DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, DAMI660N60, IRF4905, P0165ED, P0165EI, P0260EDA, P0260EIA, P0306BT, P0406AK, P0460EDA, P0470ED