Справочник MOSFET. DAMIA1100N100

 

DAMIA1100N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DAMIA1100N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1800 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2710 nC
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0078 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для DAMIA1100N100

 

 

DAMIA1100N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  dacosemi
damia1100n100.pdf

DAMIA1100N100 DAMIA1100N100

DAMIA1100N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227HPreliminaryFeaturesSD VDSS = 100V RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top