DAMIA1100N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: DAMIA1100N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1800 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0078 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам