FQP3P50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP3P50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm

Encapsulados: TO220

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FQP3P50 datasheet

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FQP3P50

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has bee

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FQP3P50

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technology has bee

Otros transistores... FQP34N20, FCPF11N60, FQP3N30, FQP3N60C, FCP11N60, FQP3N80C, FQP15P12, FQP3P20, IRF530, FQP44N10, FQB11N40C, FQP45N15V2, FQP46N15, FQP47P06, FQP4N80, IRFU220B, FQP4N90C