FQP3P50 Todos los transistores

 

FQP3P50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP3P50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 85 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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FQP3P50 Datasheet (PDF)

1.1. fqp3p50.pdf Size:640K _fairchild_semi

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August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially

5.1. fqp3p20.pdf Size:549K _fairchild_semi

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April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technology has been especially

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