FQP3P50 Todos los transistores

 

FQP3P50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP3P50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FQP3P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  fairchild semi
 fqp3p50.pdf pdf_icon

FQP3P50

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP3P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has bee

 9.1. Size:549K  fairchild semi
 fqp3p20.pdf pdf_icon

FQP3P50

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technology has bee

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