Справочник MOSFET. FQP3P50

 

FQP3P50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP3P50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP3P50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP3P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  fairchild semi
 fqp3p50.pdf pdf_icon

FQP3P50

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP3P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has bee

 9.1. Size:549K  fairchild semi
 fqp3p20.pdf pdf_icon

FQP3P50

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technology has bee

Другие MOSFET... FQP34N20 , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , AON6380 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C .

History: CED11P20

 

 
Back to Top

 


 
.