FQP3P50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQP3P50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.9 Ohm
Тип корпуса: TO220
FQP3P50 Datasheet (PDF)
1.1. fqp3p50.pdf 
Size:640K _fairchild_semi
August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially
5.1. fqp3p20.pdf Size:549K _fairchild_semi
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technology has been especially
Другие MOSFET... FQP34N20 , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , J113 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C .
