Справочник MOSFET. FQP3P50

 

FQP3P50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQP3P50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP3P50

 

 

FQP3P50 Datasheet (PDF)

1.1. fqp3p50.pdf Size:640K _fairchild_semi

FQP3P50
FQP3P50

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially

5.1. fqp3p20.pdf Size:549K _fairchild_semi

FQP3P50
FQP3P50

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technology has been especially

Другие MOSFET... FQP34N20 , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , J113 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C .

 

 
Back to Top