FQP3P50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQP3P50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FQP3P50
FQP3P50 Datasheet (PDF)
fqp3p50.pdf

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP3P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has bee
fqp3p20.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technology has bee
Другие MOSFET... FQP34N20 , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , AON6380 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C .
History: WSR80P06 | BL4N80-P | 2SJ218
History: WSR80P06 | BL4N80-P | 2SJ218



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout