P0260EIA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0260EIA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.85 Ohm

Encapsulados: TO-251

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P0260EIA datasheet

 ..1. Size:167K  niko-sem
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P0260EIA

N-Channel Enhancement Mode P0260EIA NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 600V 4.85 2A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25 C

 7.1. Size:806K  unikc
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P0260EIA

P0260EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4 A IDM 8 Pulsed Drain Current1

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P0260EIA

P0260EIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4

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P0260EIA

P0260ETF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.3 @VGS = 10V 600V 2A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.3 A IDM 8 Pulsed Drain Curre

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