Справочник MOSFET. P0260EIA

 

P0260EIA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0260EIA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для P0260EIA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260EIA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  niko-sem
 p0260eia.pdf pdf_icon

P0260EIA

N-Channel Enhancement Mode P0260EIANIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G600V 4.85 2A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C

 7.1. Size:806K  unikc
 p0260ei.pdf pdf_icon

P0260EIA

P0260EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4AIDM8Pulsed Drain Current1

 7.2. Size:730K  unikc
 p0260eis.pdf pdf_icon

P0260EIA

P0260EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4

 8.1. Size:780K  unikc
 p0260etf.pdf pdf_icon

P0260EIA

P0260ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3 @VGS = 10V600V 2ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.3AIDM8Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , K4145 , P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , P0508AT , P0610BT .

History: TSJ10N10AT | TSM2N60SCW | AP2764AI | 2SK2705 | HGD290N10SL | AM7933P

 

 
Back to Top

 


 
.