P0260EIA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0260EIA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.85 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P0260EIA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260EIA даташит

 ..1. Size:167K  niko-sem
 p0260eia.pdf pdf_icon

P0260EIA

N-Channel Enhancement Mode P0260EIA NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 600V 4.85 2A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25 C

 7.1. Size:806K  unikc
 p0260ei.pdf pdf_icon

P0260EIA

P0260EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4 A IDM 8 Pulsed Drain Current1

 7.2. Size:730K  unikc
 p0260eis.pdf pdf_icon

P0260EIA

P0260EIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4

 8.1. Size:780K  unikc
 p0260etf.pdf pdf_icon

P0260EIA

P0260ETF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.3 @VGS = 10V 600V 2A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.3 A IDM 8 Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, DAMI660N60, DAMIA1100N100, P0165ED, P0165EI, P0260EDA, 2N7002, P0306BT, P0406AK, P0460EDA, P0470ED, P0470ETF, P0470JD, P0508AT, P0610BT