P0620ED Todos los transistores

 

P0620ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0620ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de P0620ED MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P0620ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  niko-sem
 p0620ed.pdf pdf_icon

P0620ED

P0620ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D200V 580m 6A G1: GATE 2: DRAIN S3: SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 9.1. Size:603K  supertex
 tp0620.pdf pdf_icon

P0620ED

Supertex inc. TP0620P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (85pF typical)combination produces a dev

Otros transistores... P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , P0508AT , P0610BT , IRF9540N , P0660ED , P0660EI , P0706BD , P0706BK , P0706BV , P0765JD , P0770ED , P0770JD .

History: FQU13N06LTU | MTW26N15E | STU2NK100Z | AP03N70H-H | SVF18N50FJ | FQD7P06TF | AFP2303A

 

 
Back to Top

 


 
.