P0620ED Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0620ED  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P0620ED datasheet

 ..1. Size:307K  niko-sem
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P0620ED

P0620ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 200V 580m 6A G 1 GATE 2 DRAIN S 3 SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 9.1. Size:603K  supertex
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P0620ED

Supertex inc. TP0620 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (85pF typical) combination produces a dev

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