P0620ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P0620ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0620ED

P0620ED Datasheet (PDF)

..1. Size:307K niko-sem
p0620ed.pdf

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9.1. Size:603K supertex
tp0620.pdf

Supertex inc. TP0620P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (85pF typical)combination produces a dev

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Liste

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