P0620ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0620ED  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P0620ED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0620ED даташит

 ..1. Size:307K  niko-sem
 p0620ed.pdf pdf_icon

P0620ED

P0620ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 200V 580m 6A G 1 GATE 2 DRAIN S 3 SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 9.1. Size:603K  supertex
 tp0620.pdf pdf_icon

P0620ED

Supertex inc. TP0620 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (85pF typical) combination produces a dev

Другие IGBT... P0306BT, P0406AK, P0460EDA, P0470ED, P0470ETF, P0470JD, P0508AT, P0610BT, SKD502T, P0660ED, P0660EI, P0706BD, P0706BK, P0706BV, P0765JD, P0770ED, P0770JD