Справочник MOSFET. P0620ED

 

P0620ED Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0620ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для P0620ED

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0620ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  niko-sem
 p0620ed.pdf pdf_icon

P0620ED

P0620ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D200V 580m 6A G1: GATE 2: DRAIN S3: SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 9.1. Size:603K  supertex
 tp0620.pdf pdf_icon

P0620ED

Supertex inc. TP0620P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (85pF typical)combination produces a dev

Другие MOSFET... P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , P0508AT , P0610BT , IRF9540N , P0660ED , P0660EI , P0706BD , P0706BK , P0706BV , P0765JD , P0770ED , P0770JD .

History: CEF740G | ZXMP6A17GTA | HGW190N15S | IXFV18N90PS | BSC009NE2LS | STP11NK40ZFP | 2SK4067I

 

 
Back to Top

 


 
.