P1010AT Todos los transistores

 

P1010AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1010AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de P1010AT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P1010AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  niko-sem
 p1010at.pdf pdf_icon

P1010AT

N-Channel Enhancement Mode P1010AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 10.5m 69A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

Otros transistores... P0706BV , P0765JD , P0770ED , P0770JD , P0770JF , P0865ETF , P0903YK , P0908AK , STP80NF70 , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD , P1165JFN .

History: IPB054N08N3G | 10N80L-TC3-T | BLP05N08G-B

 

 
Back to Top

 


 
.