P1010AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1010AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1010AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1010AT даташит

 ..1. Size:190K  niko-sem
 p1010at.pdf pdf_icon

P1010AT

N-Channel Enhancement Mode P1010AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 10.5m 69A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

Другие IGBT... P0706BV, P0765JD, P0770ED, P0770JD, P0770JF, P0865ETF, P0903YK, P0908AK, STP80NF70, P1050ETF, P1060ETFNA, P1065ETF, P1120EF, P1160JD, P1160JF, P1165JD, P1165JFN