Справочник MOSFET. P1010AT

 

P1010AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1010AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для P1010AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1010AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  niko-sem
 p1010at.pdf pdf_icon

P1010AT

N-Channel Enhancement Mode P1010AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 10.5m 69A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

Другие MOSFET... P0706BV , P0765JD , P0770ED , P0770JD , P0770JF , P0865ETF , P0903YK , P0908AK , 20N50 , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD , P1165JFN .

History: ZXMN6A11GTA | NCEA01P13K | BSC032N03SG | TSP12N65M | PJS6413 | NCEAP40ND80G | VBZE5N20

 

 
Back to Top

 


 
.