FQP45N15V2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQP45N15V2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: TO220
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FQP45N15V2 datasheet
fqp45n15v2 fqpf45n15v2.pdf
QFET FQP45N15V2/FQPF45N15V2 150V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45A, 150V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 72 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 135 pF) This advanced technology has been especially tailor
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