Справочник MOSFET. FQP45N15V2

 

FQP45N15V2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP45N15V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP45N15V2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP45N15V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:954K  fairchild semi
 fqp45n15v2 fqpf45n15v2.pdf pdf_icon

FQP45N15V2

QFETFQP45N15V2/FQPF45N15V2150V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45A, 150V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 72 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 135 pF)This advanced technology has been especially tailor

Другие MOSFET... FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , AO3401 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.