P1165JD Todos los transistores

 

P1165JD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1165JD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

P1165JD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  niko-sem
 p1165jd.pdf pdf_icon

P1165JD

N-Channel Enhancement Mode P1165JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 400m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:313K  niko-sem
 p1165jfn.pdf pdf_icon

P1165JD

N-Channel Enhancement Mode P1165JFN NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220FN Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 380m 11A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFN440 | ASDM3400 | KF5N53D | PE506BA | STD5N52K3

 

 
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