Справочник MOSFET. P1165JD

 

P1165JD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1165JD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P1165JD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  niko-sem
 p1165jd.pdf pdf_icon

P1165JD

N-Channel Enhancement Mode P1165JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 400m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:313K  niko-sem
 p1165jfn.pdf pdf_icon

P1165JD

N-Channel Enhancement Mode P1165JFN NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220FN Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 380m 11A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: DMN4468LSS | FDD9407-F085 | HGN052N10SL | 2SK3403B | TPH4R008NH | IPD50R950CE | WM4C62160A

 

 
Back to Top

 


 
.