P1165JD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1165JD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1165JD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1165JD даташит

 ..1. Size:308K  niko-sem
 p1165jd.pdf pdf_icon

P1165JD

N-Channel Enhancement Mode P1165JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 400m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:313K  niko-sem
 p1165jfn.pdf pdf_icon

P1165JD

Другие IGBT... P0908AK, P1010AT, P1050ETF, P1060ETFNA, P1065ETF, P1120EF, P1160JD, P1160JF, IRF1407, P1165JFN, P1306ED, P1306EK, P1350ETF, P1406BV, P1410BD, P1410BK, P1560JD