P1165JFN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1165JFN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-220FN

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P1165JFN datasheet

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P1165JFN

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P1165JFN

N-Channel Enhancement Mode P1165JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 400m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Otros transistores... P1010AT, P1050ETF, P1060ETFNA, P1065ETF, P1120EF, P1160JD, P1160JF, P1165JD, 2SK3568, P1306ED, P1306EK, P1350ETF, P1406BV, P1410BD, P1410BK, P1560JD, P1560JF