P1165JFN Todos los transistores

 

P1165JFN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1165JFN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FN
 

 Búsqueda de reemplazo de P1165JFN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P1165JFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  niko-sem
 p1165jfn.pdf pdf_icon

P1165JFN

N-Channel Enhancement Mode P1165JFN NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220FN Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 380m 11A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS

 8.1. Size:308K  niko-sem
 p1165jd.pdf pdf_icon

P1165JFN

N-Channel Enhancement Mode P1165JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 400m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Otros transistores... P1010AT , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD , 5N65 , P1306ED , P1306EK , P1350ETF , P1406BV , P1410BD , P1410BK , P1560JD , P1560JF .

History: 2SJ661-1E | ME3587-G | 2SK1896 | TPCP8402 | SFB021N80C3 | CM220N04 | AOTS26108

 

 
Back to Top

 


 
.