Справочник MOSFET. P1165JFN

 

P1165JFN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1165JFN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FN
 

 Аналог (замена) для P1165JFN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1165JFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  niko-sem
 p1165jfn.pdf pdf_icon

P1165JFN

N-Channel Enhancement Mode P1165JFN NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220FN Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 380m 11A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS

 8.1. Size:308K  niko-sem
 p1165jd.pdf pdf_icon

P1165JFN

N-Channel Enhancement Mode P1165JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 400m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Другие MOSFET... P1010AT , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD , 5N65 , P1306ED , P1306EK , P1350ETF , P1406BV , P1410BD , P1410BK , P1560JD , P1560JF .

History: LSE80R980GT | HM607K | JCS7N70F | HM830 | NTMD4184PFR2G | AP6N100J | 2SJ602

 

 
Back to Top

 


 
.