FQP46N15 Todos los transistores

 

FQP46N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP46N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 85 nC
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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FQP46N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  fairchild semi
fqp46n15.pdf

FQP46N15
FQP46N15

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has be

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