FQP46N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQP46N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 210 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 45.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 85 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQP46N15
FQP46N15 Datasheet (PDF)
1.1. fqp46n15.pdf 
Size:752K _fairchild_semi
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially
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