FQP46N15 Todos los transistores

 

FQP46N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP46N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 210 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 45.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 85 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQP46N15

 

FQP46N15 Datasheet (PDF)

1.1. fqp46n15.pdf Size:752K _fairchild_semi

FQP46N15
FQP46N15

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially

Otros transistores... FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , IRFP150N , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C .

 

 
Back to Top

 


FQP46N15
  FQP46N15
  FQP46N15
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: IRFP257 | IRFP256 | FIR4N65F | 40N20 | 2SK767 | 2SK766 | 2SK763 | 2SK759 | 2SK757 | 2SK756 | 2SK755 | 2SK754 | 2SK753 | 2SK752 | 2SK751 |

 

 

 
Back to Top