Справочник MOSFET. FQP46N15

 

FQP46N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP46N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP46N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP46N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  fairchild semi
 fqp46n15.pdf pdf_icon

FQP46N15

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has be

Другие MOSFET... FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , IRF520 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C .

History: IXFT12N100Q | IRLR2905 | IRFZ34NS | 2SK0123 | STH10NA50 | NCEP018NH30QU

 

 
Back to Top

 


 
.