Справочник MOSFET. FQP46N15

 

FQP46N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQP46N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 85 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP46N15

 

 

FQP46N15 Datasheet (PDF)

1.1. fqp46n15.pdf Size:752K _fairchild_semi

FQP46N15
FQP46N15

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially

Другие MOSFET... FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , IRFP150N , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C .

 

 
Back to Top