FQP46N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQP46N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO220
FQP46N15 Datasheet (PDF)
1.1. fqp46n15.pdf 
Size:752K _fairchild_semi
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially
Другие MOSFET... FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , IRFP150N , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C .
