FQP46N15 - описание и поиск аналогов

 

FQP46N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP46N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP46N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP46N15 даташит

 ..1. Size:752K  fairchild semi
 fqp46n15.pdf pdf_icon

FQP46N15

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has be

Другие MOSFET... FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , 75N75 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.