P1625ED Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1625ED  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P1625ED datasheet

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P1625ED

N-Channel Logic Level Enhancement P1625ED NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 265m 250V 16A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 16 Continuous Dra

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