P1625ED - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P1625ED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для P1625ED
P1625ED Datasheet (PDF)
p1625ed.pdf

N-Channel Logic Level Enhancement P1625ED NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 265m 250V 16A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 16 Continuous Dra
Другие MOSFET... P1410BD , P1410BK , P1560JD , P1560JF , P1610AK , P1610ATF , P1615ATA , P1615ATFA , K2611 , P1850EF , P2020YD , P2060JF , P2206BEA , P2206BT , P2206BTF , P2206BV , P2206HK .
History: MPVA20N65F | B7N70 | GSM4804
History: MPVA20N65F | B7N70 | GSM4804



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg