FQP47P06 Todos los transistores

 

FQP47P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP47P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de FQP47P06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQP47P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  fairchild semi
 fqp47p06.pdf pdf_icon

FQP47P06

May 2001TMQFETFQP47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored

Otros transistores... FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , RU6888R , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C , FQP5N60C .

History: APT10088HVR

 

 
Back to Top

 


 
.