FQP47P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQP47P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: TO220
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FQP47P06 datasheet
fqp47p06.pdf
May 2001 TM QFET FQP47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especially tailored
Otros transistores... FQP3N80C, FQP15P12, FQP3P20, FQP3P50, FQP44N10, FQB11N40C, FQP45N15V2, FQP46N15, AO3400A, FQP4N80, IRFU220B, FQP4N90C, FQP4P40, FQP50N06L, FQP55N10, FQP6N60C, FQP5N60C
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