Справочник MOSFET. FQP47P06

 

FQP47P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP47P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP47P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  fairchild semi
 fqp47p06.pdf pdf_icon

FQP47P06

May 2001TMQFETFQP47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSF3641 | KP771A | 2N7121 | AO8803 | FDC3612

 

 
Back to Top

 


 
.