Справочник MOSFET. FQP47P06

 

FQP47P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP47P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP47P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP47P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  fairchild semi
 fqp47p06.pdf pdf_icon

FQP47P06

May 2001TMQFETFQP47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , RU6888R , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C , FQP5N60C .

History: FDMS7650DC | FQP4N90C | IXTH30N50 | FQP4N80 | PHT8N06LT | APT50M85JVFR | FDMS7606

 

 
Back to Top

 


 
.