P2A06BT Todos los transistores

 

P2A06BT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2A06BT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 198 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1229 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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P2A06BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  niko-sem
 p2a06bt.pdf pdf_icon

P2A06BT

P2A06BT N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM TO-220 Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 2.8m 60V 198A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 198 Continuous Dr

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History: HGD040N06S | CED12N10L | CEDM7001VL | SI8810 | STD10PF06-1 | IRFPE30PBF | PM557BA

 

 
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