Справочник MOSFET. P2A06BT

 

P2A06BT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2A06BT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 198 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1229 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для P2A06BT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2A06BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  niko-sem
 p2a06bt.pdf pdf_icon

P2A06BT

P2A06BT N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM TO-220 Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 2.8m 60V 198A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 198 Continuous Dr

Другие MOSFET... P2206BEA , P2206BT , P2206BTF , P2206BV , P2206HK , P2610BI , P2610BK , P2610BTF , AON7403 , P3506ED , P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK .

History: LSF50R160HT | RS1G120MN | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | TPB70R950C | NTMFS4939NT1G | CS10N60A8HD

 

 
Back to Top

 


 
.