P2A06BT datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: P2A06BT 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 198 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1229 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для P2A06BT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
P2A06BT даташит
p2a06bt.pdf
P2A06BT N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM TO-220 Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 2.8m 60V 198A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 198 Continuous Dr
Другие IGBT... P2206BEA, P2206BT, P2206BTF, P2206BV, P2206HK, P2610BI, P2610BK, P2610BTF, IRF9640, P3506ED, P3506EK, P3506ET, P3506ETF, P3606BEA, P3606BK, P3606NEA, P3710BK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor

