P2A06BT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P2A06BT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 198 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1229 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для P2A06BT
P2A06BT Datasheet (PDF)
p2a06bt.pdf

P2A06BT N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM TO-220 Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 2.8m 60V 198A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 198 Continuous Dr
Другие MOSFET... P2206BEA , P2206BT , P2206BTF , P2206BV , P2206HK , P2610BI , P2610BK , P2610BTF , AON7403 , P3506ED , P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK .
History: APL502LG | SWB076R68E7T | BRD7002K2 | FDP8N50NZU | FHF2N60A | IPAW70R600CE | AONE38132
History: APL502LG | SWB076R68E7T | BRD7002K2 | FDP8N50NZU | FHF2N60A | IPAW70R600CE | AONE38132



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor