P3506ED Todos los transistores

 

P3506ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P3506ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de P3506ED MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P3506ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  niko-sem
p3506ed.pdf pdf_icon

P3506ED

P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

 8.1. Size:200K  niko-sem
p3506etf.pdf pdf_icon

P3506ED

P-Channel Enhancement Mode P3506ETF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -20A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC

 8.2. Size:199K  niko-sem
p3506et.pdf pdf_icon

P3506ED

P-Channel Enhancement Mode P3506ET NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -36A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 8.3. Size:385K  niko-sem
p3506ek.pdf pdf_icon

P3506ED

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P3506EK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-60V 35m -27A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching

Otros transistores... P2206BT , P2206BTF , P2206BV , P2206HK , P2610BI , P2610BK , P2610BTF , P2A06BT , 8N60 , P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK , P3710BT .

History: P0765JD | RJK4514DPK | CED02N6A | STD3N40K3 | NDP6030PL | RP1E100RPTR | FJ330301

 

 
Back to Top

 


 
.