P3506ED - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P3506ED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для P3506ED
P3506ED Datasheet (PDF)
p3506ed.pdf

P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2
p3506etf.pdf

P-Channel Enhancement Mode P3506ETF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -20A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC
p3506et.pdf

P-Channel Enhancement Mode P3506ET NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -36A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =
p3506ek.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P3506EK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-60V 35m -27A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching
Другие MOSFET... P2206BT , P2206BTF , P2206BV , P2206HK , P2610BI , P2610BK , P2610BTF , P2A06BT , IRF520 , P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK , P3710BT .
History: SSM9973GM | JCS20N65FH | IXTH26P20P | IPB60R180P7 | IXTH26N60P | IPD50N04S4-10
History: SSM9973GM | JCS20N65FH | IXTH26P20P | IPB60R180P7 | IXTH26N60P | IPD50N04S4-10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent