P3506ED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P3506ED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-252
P3506ED Datasheet (PDF)
p3506ed.pdf
P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2
p3506etf.pdf
P-Channel Enhancement Mode P3506ETF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -20A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC
p3506et.pdf
P-Channel Enhancement Mode P3506ET NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -36A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =
p3506ek.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode P3506EK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-60V 35m -27A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918