P8806BM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P8806BM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de P8806BM MOSFET
P8806BM Datasheet (PDF)
p8806bm.pdf

N-Channel Enhancement Mode Field P8806BM NIKO-SEM Effect Transistor SOT-23 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 88m 2A G. GATE GD. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
Otros transistores... P5510EK , P5515BD , P5515BK , P5515BV , P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , IRFP260N , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK .



Liste
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